NCE65TF099F
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
412 шт., срок 6-8 недель
540 руб.
от 10 шт. —
470 руб.
от 30 шт. —
419 руб.
от 100 шт. —
373.56 руб.
1 шт.
на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023057138
Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
Описание
650V 38A 89mΩ@10V,19A 36W 3.5V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 38A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 89mΩ@10V, 19A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.8nF@50V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 36W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.5pF@50V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
Type | N Channel |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.