YFW8N65AD
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3052 шт., срок 6-8 недель
80 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
69 руб.
от 30 шт. —
63 руб.
от 100 шт. —
56.16 руб.
5 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
650V 8A 100W 950mΩ@10V,4A 4V@250μA null TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 8A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V, 4A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250μA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.1nF@25V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 100W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
Type | null |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 899 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.