FDC6303N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
61 руб.
от 30 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 25В, 0,68А, 0,9Вт, SuperSOT-6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 680мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.145 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 680 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6303N_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Series: | FDC6303N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 680 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 900 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 195 КБ
Datasheet FDC6303N
pdf, 178 КБ
Datasheet FDC6303N
pdf, 78 КБ
