AC847BWQ-7

Фото 1/2 AC847BWQ-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.9 руб.
от 300 шт.7.40 руб.
от 3000 шт.6.39 руб.
40 шт. на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023067438
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 450
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Частота Перехода ft 300МГц

Техническая документация

Datasheet AC847BWQ-7
pdf, 285 КБ
Datasheet AC847CWQ-7
pdf, 324 КБ