BCX5616TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
от 100 шт. —
9.97 руб.
30 шт.
на сумму 390 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор биполярный BCX5616TA от DIODES INCORPORATED станет надежным компонентом для вашей электронной схемы. Этот NPN-транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает коллекторным током 1 А, что позволяет ему управлять средними нагрузками. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 80 В, а мощность устройства достигает 1,3 Вт, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне применений. Компактный корпус SOT89 значительно экономит пространство на плате. Ищите BCX5616TA для решения ваших проектных задач. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 80 |
| Мощность, Вт | 1.3 |
| Корпус | SOT89 |
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at 5 mA, 2 V |
| DC Current Gain HFE Max | 25 at 5 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | BCX56 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 at 5 mA, 2 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 25 at 5 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BCX56 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 80 V |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
