YFW4N65AF
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
140 шт., срок 6-8 недель
57 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
45 руб.
10 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
650V 4A 2.5Ω@10V,2A 33W 4V@250μA null TO-220F MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250μA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 550pF@25V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 33W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@10V |
Type | null |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 959 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.