MMBT3946DW
30000 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 9 000 руб.
Плати частями
от 2 250 руб. × 4 платежа
от 2 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 513 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
