AP3020
10455 шт., срок 6-8 недель
44 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
33 руб.
от 150 шт. —
27 руб.
от 500 шт. —
22.54 руб.
10 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8023108130
Описание
30V 11.8A 12mΩ@10V,11A 2.5W 3V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 11.8A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.5mО© @ 11A,10V |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 11.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V, 11A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 790pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 105pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@4.5V |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet AP3020
pdf, 1749 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
