DMN1260UFA-7B

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 руб.

Мин. кол-во для заказа 25 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 14 руб.

от 150 шт. — 12 руб.

от 500 шт. — 9.79 руб.

25 шт. на сумму 450 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8023112975

Бренд: DIODES INC.

МОП-транзистор 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	360 mW
Qg - заряд затвора	960 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	366 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	18.8 ns
Время спада	59.2 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	DMN1260
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	106.5 ns
Типичное время задержки при включении	7.4 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	X2-DFN0806-3

pdf, 330 КБ