DMN53D0U-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
7.40 руб.
от 3000 шт. —
6.64 руб.
40 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 520 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DMN53D0U-7
pdf, 337 КБ
