DMP31D7L-7
![DMP31D7L-7](https://static.chipdip.ru/lib/570/DOC016570955.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
10 руб.
от 150 шт. —
8.30 руб.
от 500 шт. —
7.51 руб.
35 шт.
на сумму 385 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 237 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 580 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 430 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 360 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms |
Rise Time: | 2.3 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 406 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 584 КБ