FCX591TA

Фото 1/2 FCX591TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
34 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 30 шт.32 руб.
от 100 шт.28.99 руб.
10 шт. на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023152414
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FCX59
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.5 mm
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Flat
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@100mA@1A
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum DC Current Gain 100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-89
Supplier Temperature Grade Automotive
Tab Tab
Type PNP
Collector Current (Ic) 1A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 295mV@1A, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@500mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 1W
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 150MHz

Техническая документация

Datasheet
pdf, 421 КБ