BFS17NTA

Фото 1/2 BFS17NTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
63 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
6 шт. на сумму 378 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023154726
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 11В
Continuous Collector Current 50мА
DC Current Gain hFE Min 56hFE
DC Ток Коллектора 50мА
DC Усиление Тока hFE 56hFE
Power Dissipation 310мВт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SOT-23
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 11В
Полярность Транзистора NPN
Рассеиваемая Мощность 310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Частота Перехода ft 3.2ГГц
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 11 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 56 at 5 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 3.2 GHz
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 310 mW
Product Category: RF Bipolar Transistors
Product Type: RF Bipolar Transistors
Series: BFS17
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Transistor Type: Bipolar

Техническая документация

Datasheet
pdf, 145 КБ