BSR33QTA

BSR33QTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 30 шт.26 руб.
13 шт. на сумму 403 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8023172330
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Trans

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2.1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BSR33
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet BSR33QTA
pdf, 283 КБ