IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 руб.
от 10 шт. —
780 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 970 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, DPAK
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Qg - заряд затвора | 16.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 17 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 70 |
| Серия | IXTY14N60X2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.7nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet IXTY14N60X2
pdf, 576 КБ
Datasheet IXTY14N60X2
pdf, 580 КБ
