DMT36M1LPS-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
50 руб.
от 30 шт. —
45 руб.
от 100 шт. —
39.61 руб.
7 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0048Ом |
| Power Dissipation | 42Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 65А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0048Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI 5060 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.025 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PowerDI5060-8 |
| Pin Count | 8 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Rise Time: | 5.5 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ
Datasheet DMT36M1LPS-13
pdf, 432 КБ
