Главная › Каталог брендов › Diodes › Позиции на заказ › BSS138W-7-F

BSS138W-7-F

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 руб.

Мин. кол-во для заказа 60 шт.

60 шт. на сумму 420 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги14

Номенклатурный номер: 8024033688

Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 50В, 0,2А, 0,2Вт, SOT323 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Small Signal
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	50
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	3500@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	50(Max)@10V
Maximum Power Dissipation (mW)	200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	20(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns)	20(Max)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Supplier Temperature Grade	Automotive
Automotive	No
Standard Package Name	SOT
Pin Count	3
Supplier Package	SOT-323
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	0.95
Package Length	2.15
Package Width	1.3
PCB changed	3
Lead Shape	Gull-wing
Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	50 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BSS138
Технология	Si
Тип	Enhancement Mode Field Effect Transistor
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	BSS138 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 220mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-323
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	200mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	200mW
Rds On - Drain-Source Resistance	3.5О© @ 220mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.5V @ 250uA
Maximum Continuous Drain Current	200 mA
Maximum Drain Source Resistance	3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	50 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	SOT-323
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.35mm