GP2S60A
![GP2S60A](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC013181596.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 шт., срок 6-8 недель
49 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 392 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Brand | Sharp Microelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Fall Time | 20 us |
Height | 1.1 mm |
If - Forward Current | 20 mA |
Length | 3.2 mm |
Manufacturer | Sharp Microelectronics |
Maximum Collector Current | 20 mA |
Maximum Operating Temperature | + 85 C |
Minimum Operating Temperature | - 25 C |
Moisture Sensitive | Yes |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Output Type | Phototransistor |
Package / Case | SMD-4 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Product Category | Optical Switches, Reflective, Phototransistor Outp |
Product Type | Optical Switches, Reflective, Phototransistor Outp |
Rise Time | 20 us |
Sensing Distance | 0.5 mm |
Sensing Method | Reflective |
Subcategory | Optical Switches |
Vf - Forward Voltage | 1.2 V |
Vr - Reverse Voltage | 6 V |
Wavelength | 950 nm |
Width | 1.7 mm |
Техническая документация
Datasheet GP2S60A
pdf, 2135 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.