BC807-16-7-F

Фото 1/3 BC807-16-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
110 шт. на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8024037596
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 310 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60 at - 300 mA, - 1 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC807
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 310 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 241 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 108 КБ