DMG2307LQ-7
![DMG2307LQ-7](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC004161370.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
19 шт.
на сумму 399 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
30V 2.5A 90mΩ@2.5A,10V 760mW 3V@250uA P Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@2.5A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 371.3pF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 760mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.2nC@10V |
Type | P Channel |