DMN65D8LW-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
100 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги10
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,26А, 0,3Вт, SOT323 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 7.3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 870 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Rise Time: | 2.8 ns |
| Series: | DMN65 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 431 КБ
