DMN3016LPS-13

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

23 руб.

Мин. кол-во для заказа 17 шт.

17 шт. на сумму 391 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8024038739

Бренд: DIODES INC.

МОП-транзистор N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF

Id - непрерывный ток утечки	10.8 A
Pd - рассеивание мощности	1.18 W
Qg - заряд затвора	25.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	16.5 ns
Время спада	5.6 ns
Высота	1 mm
Длина	5.15 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PowerDI
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Enhancement Mode MOSFET
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DMN3016
Технология	Si
Тип	Enhancement Mode MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26.1 ns
Типичное время задержки при включении	4.8 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI5060-8
Ширина	6.15 mm

pdf, 321 КБ