MMBT3904-7-F

Фото 1/4 MMBT3904-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 190 шт.
190 шт. на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8024045271
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, 40В, 200мА, 310мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 200 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 310 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MMBT3904
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 406 КБ
Datasheet
pdf, 337 КБ