DMN2004WK-7
![DMN2004WK-7](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514453.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 руб.
Мин. кол-во для заказа 28 шт.
28 шт.
на сумму 392 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
N-канал 20 В 540 мА (Ta) 200 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-323
Технические параметры
Base Product Number | DMN2004 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 540mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±8V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 540mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550mО© @ 540mA,4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
Id - непрерывный ток утечки: | 540 mA |
Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | -8 V, +8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 500 mV |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | +150 C |
Минимальная рабочая температура: | -65 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Продукт: | MOSFET Small Signal |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 3000 |
Серия: | DMN2004 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | SOT-323-3 |
Continuous Drain Current (Id) | 540mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@4.5V, 540mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 150pF@16V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet DMN2004WK-7
pdf, 224 КБ