BCP56TA

Фото 1/2 BCP56TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
21 шт. на сумму 378 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8024052859
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 40
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP56
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5 50mA 500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum DC Current Gain 25 5mA 2V|40 150mA 2V|25 500mA 2V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Supplier Package SOT-223
Supplier Temperature Grade Automotive
Tab Tab
Type NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 375 КБ
Datasheet
pdf, 372 КБ
Datasheet BCP56TA
pdf, 377 КБ