DMN3016LDN-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
9 шт.
на сумму 387 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Qg - заряд затвора | 25.1 nC, 25.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16.5 ns, 16.5 ns |
| Время спада | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DMN3016 |
| Технология | Si |
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26.1 ns, 26.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns, 4.8 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | V-DFN3030-8 |
| Ширина | 3 mm |
