MMBT3904FA-7B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
23 шт.
на сумму 391 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 435 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 100 mA, 1 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA, 1 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT3904FA |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 435mW |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet MMBT3904FA-7B
pdf, 140 КБ
Datasheet MMBT3904FA-7B
pdf, 135 КБ
