DMG3404L-7
![Фото 1/2 DMG3404L-7](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
34 шт.
на сумму 374 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 4,8А, 1,33Вт, SOT23
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 5.2 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 5.8 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.33 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 13.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
Rise Time: | 4.4 ns |
Series: | DMG3404 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 403 КБ