BSS123-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
70 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор полевой BSS123-7-F от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С током стока 0,17 А и напряжением сток-исток в 100 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 0,3 Вт. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии всего 6 Ом, он обеспечивает эффективное и точное управление током в вашем электронном устройстве. Компактный корпус SOT23 делает его идеальным выбором для печатных плат с ограниченным пространством. Продукт BSS1237F станет надежным элементом в широком спектре электронных применений. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.17 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 0.3 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 6 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.08 S |
| Id - Continuous Drain Current | 170 mA |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| Rise Time | 8 ns |
| Series | BSS123 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.08 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | BSS123 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 440 КБ
Datasheet BSS123-7-F
pdf, 523 КБ
Datasheet BSS123-7-F
pdf, 116 КБ
Datasheet BSS123-7-F
pdf, 507 КБ
