GBJ2506-F
![Фото 1/6 GBJ2506-F](https://static.chipdip.ru/lib/774/DOC043774095.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/152/DOC001152922.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/527/DOC007527812.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368101.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/952/DOC037952795.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/952/DOC037952799.jpg)
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
4 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Диодный мост GBJ2506-F от компании DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный однофазный полупроводниковый элемент, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. Идеален для использования в широком спектре электронных устройств благодаря своей надежности и долговечности. Корпус GBJ обеспечивает удобный монтаж и хорошую теплоотдачу. Этот диодный мост является важным компонентом в схемах питания и зарядных устройствах. Код товара GBJ2506-F следует указывать при заказе для корректной идентификации, а при поиске в интернет-магазине можно использовать его упрощенную форму без специальных символов и пробелов: GBJ2506F. Характеристики
Категория | Диод |
Тип | диодный мост |
Вид | однофазный |
Корпус | GBJ |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.50.00.80 |
Bridge Type | Single Phase |
Configuration | Single |
Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 600 |
Peak Average Forward Current (A) | 25 |
Peak RMS Reverse Voltage (V) | 420 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (A) | 350 |
Peak Forward Voltage (V) | 1.05@12.5A |
Peak Reverse Current (uA) | 10 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | Case GBJ |
Standard Package Name | Case GBJ |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 20.3(Max) |
Package Length | 30.3(Max) |
Package Width | 4.8(Max) |
PCB changed | 4 |
Tab | Tab |
Base Product Number | GBJ2506 -> |
Current - Average Rectified (Io) | 25A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10ВµA @ 600V |
Diode Type | Single Phase |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0080 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 4-SIP, GBJ |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | GBJ |
Technology | Standard |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Brand | Diodes Incorporated |
Factory Pack Quantity | 15 |
Height | 24.5 mm |
Ir - Reverse Current | 10 uA |
Length | 30.3 mm |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Max Surge Current | 350 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Packaging | Tube |
Peak Reverse Voltage | 600 V |
Product | Bridge Rectifiers |
Product Category | Bridge Rectifiers |
RoHS | Details |
Series | GBJ2506 |
Termination Style | Through Hole |
Type | Single Phase Bridge |
Vf - Forward Voltage | 1.05 V |
Vr - Reverse Voltage | 420 V |
Width | 4.8 mm |
Diode Technology | Silicon Junction |
Package Type | GBJ |
Peak Average Forward Current | 25A |
Peak Forward Voltage | 1.05V |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 350A |
Peak Reverse Current | 500µA |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 600V |