DMP1009UFDF-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
11 шт.
на сумму 374 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | U-DFN2020 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 8V |
| Width | 2.05mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.0083Ом |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0083Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | U-DFN2020 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 493 КБ
Datasheet DMP1009UFDF-7
pdf, 389 КБ
