71V416S12PHG8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 6-8 недель
1 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 050 руб.
Плати частями
от 264 руб. × 4 платежа
от 264 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| IC Case / Package | TSOP-II |
| Memory Configuration | 256K x 16bit |
| SRAM Type | Asynchronous SRAM |
| Время Доступа | 12нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 3В до 3.6В |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 256К x 16бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 70°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | 0°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 3В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Плотность Памяти | 4Мбит |
| Размер Памяти | 4Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Access Time: | 12 ns |
| Brand: | Renesas Electronics |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organization: | 256 k x 16 |
| Package / Case: | TSOP-44 |
| Part # Aliases: | IDT71V416S12PHG8 71V416 |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Series: | 71V416S12 |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 180 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Type: | Asynchronous |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
