BS250FTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 100 шт. —
50 руб.
7 шт.
на сумму 378 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -45В, -0,09А, Idm: -1,6А, 0,33Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 90 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW (1/3 W) |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BS250 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 9Ом |
| Power Dissipation | 330мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 45В |
| Непрерывный Ток Стока | 90мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 330мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 9Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
Техническая документация
BS250F
pdf, 87 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 90 КБ
Datasheet BS250FTA
pdf, 107 КБ
Datasheet BS250FTA
pdf, 80 КБ
Документация
pdf, 522 КБ
