FZT948TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
79 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 395 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 360 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -6 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 15 at 20 A, 2 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 100 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | FZT948 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Continuous Collector Current | 6А |
| DC Current Gain hFE Min | 60hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 80МГц |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 571 КБ
