MJD350-13
![MJD350-13](https://static.chipdip.ru/lib/976/DOC010976475.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
19 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 300 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 300 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 30 |
DC Current Gain hFE Max: | 30 at 50 mA, 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 10 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | DPAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 15 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | MJD350 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Техническая документация
Datasheet MJD350-13
pdf, 667 КБ