DMP1245UFCL-7
![DMP1245UFCL-7](https://static.chipdip.ru/lib/785/DOC006785272.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор 12V P-CH ENH МОП-транзистор LOW RDSon High PERF
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 613 mW |
Qg - заряд затвора | 16.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 950 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DMP12 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X1-DFN1616-6 |
Техническая документация
Datasheet DMP1245UFCL-7
pdf, 410 КБ