BCP5616QTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
24 шт.
на сумму 384 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BCP56 Series |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
