MMBT3906LP-7B

MMBT3906LP-7B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
32 шт. на сумму 384 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8024106096
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 200 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 10000
Серия MMBT39
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок X1-DFN1006-3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 362 КБ