BC856A,215, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236

Фото 1/10 BC856A,215, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7860 шт., срок 4 недели
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.3 руб.
от 3000 шт.2.49 руб.
20 шт. на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8024651651
Артикул: BC856A,215
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 933589720215
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 125
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 125 at 2 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number BC856 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
кол-во в упаковке 3000
Maximum Collector Base Voltage -80 V
Maximum Collector Emitter Voltage -65 V
Maximum DC Collector Current -100 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 250 mW
Minimum DC Current Gain 125
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 201 КБ
Datasheet
pdf, 205 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 116 КБ
Datasheet BC856-860
pdf, 62 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.