YJL03G10A, Транзистор: N-MOSFET
2970 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
25 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
15 руб.
от 300 шт. —
13 руб.
10 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
100V 3A 110mΩ@10V,3A 1.2W 3V@250uA N Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 206pF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.4pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.3nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 732 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
