YJSD12N03A, Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1435 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
70 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
47 руб.
от 150 шт. —
41 руб.
от 500 шт. —
35.08 руб.
5 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.015nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 164pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23.6nC@10V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1143 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
