BC847BPN_R1_00001, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT
![BC847BPN_R1_00001, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/334/DOC028334972.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2700 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
8.60 руб.
10 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Технические параметры
Brand: | Panjit |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV, 700 mV |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | -100 mA, 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
DC Current Gain hFE Max: | 450 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V, 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DT-03TS |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 519 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.