BC847BPN_R1_00001, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

BC847BPN_R1_00001, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2700 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.11 руб.
от 300 шт.8.60 руб.
10 шт. на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8025030098
Артикул: BC847BPN_R1_00001

Технические параметры

Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV, 700 mV
Configuration: Dual
Continuous Collector Current: -100 mA, 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
DC Current Gain hFE Max: 450
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V, 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: DT-03TS
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN, PNP
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 519 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.