GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 6 недель
13 100 руб.
от 4 шт. —
11 080 руб.
от 16 шт. —
9 320 руб.
1 шт.
на сумму 13 100 руб.
Плати частями
от 3 275 руб. × 4 платежа
от 3 275 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Технические параметры
| Case | L3.0 |
| Collector current | 35A |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 70A |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Technology | Advanced Trench FS IGBT |
| Topology | boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 39 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
