Главная › Каталог брендов › Nexperia › Позиции на заказ › BC847C,215

BC847C,215

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

744000 шт., срок 6 недель

4 руб.

Кратность заказа 3000 шт.

от 24000 шт. — 3 руб.

от 99000 шт. — 2.72 руб.

3000 шт. на сумму 12 000 руб.

Плати частями
от 3 000 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8025467294

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Описание Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 250мВт, SOT23 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Структура	NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	520
Hfe при токе коллектора, А	0.002
Hfe при напряжении к-э, В	5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.25
Корпус	SOT23
Диапазон рабочих температур, оС	-65...150
Base Product Number	BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	100MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	250mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	45V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	250mW
кол-во в упаковке	3000
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	420
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Вес брутто	0.03
Коэффициент усиления hFE мин.	420
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	0.25
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В	45
Максимальный постоянный ток коллектора, А	0.1
Тип проводимости	NPN
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584636/60000
Упаковка	REEL, 3000 шт.
Диапазон рабочих температур	-65…+150 °С
Коэффициент усиления	hfe max-420(при 2 мА, 5 В)
Максимально допустимое напряжение	коллектор-эмиттер(Uкэ max)-45 В; коллектор-база(Uкб max)-50 В; эмиттер-база(Uэб max)-6 В
Максимальный ток	коллектора(Iк max)-0.1 А
Мощность	рассеиваемая коллектора(Pк max)-250 мВт
Назначение	универсальное
Описание	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	Транзистор биполярный кремниевый n-p-n структуры серии BC847
Характеристика	произведение Кус.х ширина полосы пропускания(fT)-100 МГц
Чувствительность	к влажности MSL1