BC848B,215, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
![Фото 1/7 BC848B,215, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757589.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/351/DOC022351336.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/619/DOC035619999.jpg)
246000 шт., срок 6 недель
4 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 45000 шт. —
2.90 руб.
от 99000 шт. —
2.51 руб.
3000 шт.
на сумму 12 000 руб.
Плати частями
от 3 000 руб. × 4 платежа
от 3 000 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | BC848B T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 250mW |
Transistor Type | NPN |
кол-во в упаковке | 3000 |
Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2040 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC848B,215
pdf, 124 КБ
BC848 datasheet
pdf, 80 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.