2PC4617QM,315
![2PC4617QM,315](https://static.chipdip.ru/lib/791/DOC006791486.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980000 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
от 30000 шт. —
5.70 руб.
от 50000 шт. —
5.19 руб.
10000 шт.
на сумму 70 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8025560952
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Технические параметры
Brand: | Nexperia |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
DC Current Gain hFE Max: | 120 at 1 mA, 6 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DFN1006-3 |
Part # Aliases: | 934057152315 |
Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.