2PC4617QM,315

2PC4617QM,315
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
980000 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
от 30000 шт.5.70 руб.
от 50000 шт.5.19 руб.
10000 шт. на сумму 70 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8025560952
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Технические параметры

Brand: Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
DC Current Gain hFE Max: 120 at 1 mA, 6 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Nexperia
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DFN1006-3
Part # Aliases: 934057152315
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 174 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.