S2M0016120K, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт., срок 6 недель
11 830 руб.
1 шт.
на сумму 11 830 руб.
Плати частями
от 2 959 руб. × 4 платежа
от 2 959 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Drain current | 140A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 224nC |
| Gate-source voltage | -5…20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 714W |
| Pulsed drain current | 314A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2641 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
