WMB175N10HG4, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; PDFN56
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2090 шт., срок 6 недель
270 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 25 шт. —
91 руб.
от 100 шт. —
71.32 руб.
1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Case | PDFN56 |
| Drain current | 29A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 17nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 17.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 71.4W |
| Pulsed drain current | 184A |
| Reverse recovery time | 30ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.16 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
