B2M065120R, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 6 недель
3 200 руб.
от 3 шт. —
2 540 руб.
от 10 шт. —
2 050 руб.
от 30 шт. —
1 793.80 руб.
1 шт.
на сумму 3 200 руб.
Плати частями
от 800 руб. × 4 платежа
от 800 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO263-7 |
| Drain current | 24A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 60nC |
| Gate-source voltage | -4…18V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed drain current | 85A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2317 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
