B2M065120H, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 6 недель
3 090 руб.
от 3 шт. —
2 460 руб.
1 шт.
на сумму 3 090 руб.
Плати частями
от 774 руб. × 4 платежа
от 774 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 33A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 60nC |
| Gate-source voltage | -4…18V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Pulsed drain current | 85A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.28 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2386 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
